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中心举办晶圆级超薄硅像素传感器研讨会
2021-01-02 10:12:43 作者: 来源: 浏览次数:

        12月24-26日,中心举办“晶圆级超薄硅像素传感器研讨会”。会议由王萌教授组织,邀请了来自中国科学院高能物理研究所、中国科学院大学、中国科学技术大学和哈尔滨工业大学(威海)等单位的专家参加会议。

        王萌教授报告了国家自然科学基金大科学装置联合重点项目“基于大面积超薄CMOS像素传感器的BESIII内径迹室关键技术研究”的相关研究内容、方案和任务分工情况,介绍了大面积超薄CMOS像素传感器在BESIII内径迹室升级中的重要性和必要性,提出了基于stitching工艺的实现方法。李海波研究员介绍了针对BESIII实验低动量区间的物理需求。董明义副研究员介绍了BESIII内径迹室升级的需求以及计划采用的升级方案。联合重点项目各子课题负责人基于各自的研究基础针对所承担的课题研究内容进行了汇报:张亮副教授介绍了基于stitching工艺的探测器设计方案以及可行性分析;董家宁老师介绍了项目配套电子学的设计方案;董明义副研究员介绍了基于大面积超薄CMOS像素传感器的原型内经迹室的设计以及未来束流测试的方案;伍灵慧副研究员介绍了本项目相关探测器模拟的结果。最后,欧阳群研究员做了总结发言,肯定了项目的先进性、可行性,并对项目所研发探测器在BESIII实验升级中的应用,给出了积极的评价。

        此次研讨会由国家自然科学基金大科学装置联合重点项目“基于大面积超薄CMOS像素传感器的BESIII内径迹室关键技术研究”支持。来自中国科学院高能物理研究所的欧阳群研究员、朱科军研究员、李海波研究员、王铮研究员、中国科学院大学的郑阳恒教授与刘倩副教授、中国科学技术大学彭海平教授、哈尔滨工业大学(威海)王晨旭教授以及山东大学项目组相关成员等二十余位专家参加了会议。与会专家及课题组成员进行了充分、深入的交流,达到了预期的效果,且与会专家们建议未来将此次会议办成系列形式。